在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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Также в феврале издание TWZ написало, что в случае, если Иран окажется в безвыходном положении перед ударами Израиля и США, он может применить химическое или радиологическое оружие.
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也就是说，无论厂商在广告中告诉消费者他们的L3如何智能，目前能上路测试的唯二两款路试车，深蓝和极狐，也只有这两个场景落地。而这两个场景，哪怕是仅售15万的比亚迪也能完成得很好，不需要太高算力。厂商们准备的数千算力超级芯片没了用武之地，如何说服消费者花更多溢价购买？